Diodo a barriera Schottky SIC

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Dettagli
Diodo a barriera Schottky al carburo di silicio ad alta-efficienza per sistemi di alimentazione industriali
Diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) progettato per applicazioni esigenti di conversione di potenza ad alta-tensione. Utilizzando la tecnologia SiC avanzata, questo dispositivo offre prestazioni di commutazione ultra-veloci, corrente di recupero inverso praticamente pari a zero, perdite di commutazione basse ed eccezionale stabilità termica, rendendolo la scelta ideale per l'elettronica di potenza di prossima-generazione.
Classificazione del prodotto
Raddrizzatori a barriera Schottky SIC
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Descrizione

Panoramica

 

Diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) progettato per applicazioni esigenti di conversione di potenza ad alta-tensione. Utilizzando la tecnologia SiC avanzata, questo dispositivo offre prestazioni di commutazione ultra-veloci, corrente di recupero inverso praticamente pari a zero, perdite di commutazione basse ed eccezionale stabilità termica, rendendolo la scelta ideale per l'elettronica di potenza di prossima-generazione.

Rispetto ai diodi al silicio a recupero rapido convenzionali, i diodi Schottky SiC offrono efficienza significativamente più elevata, generazione di calore ridotta, maggiore affidabilità e temperature operative più elevate. Questi vantaggi rendono RTSD10170 adatto per inverter industriali, sistemi di energia rinnovabile, infrastrutture di ricarica per veicoli elettrici e alimentatori a commutazione ad alta-frequenza.

 

Caratteristiche principali

1. Progettato per applicazioni ad alta-tensione che richiedono una solida capacità di resistenza alla tensione, garantendo un funzionamento affidabile in ambienti industriali esigenti.

2. Supporta la gestione della corrente continua fino a 10 A con eccellenti prestazioni termiche.

3. Corrente di recupero inversa zero, riducendo le perdite di commutazione e le interferenze elettromagnetiche (EMI).

4. La tecnologia SiC Schottky consente caratteristiche di commutazione-indipendenti dalla temperatura, rendendola ideale per convertitori e alimentatori ad alta-frequenza.

5. Bassa caduta di tensione diretta, che riduce al minimo le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva del sistema.

 

6. Capacità ad alta temperatura
* Temperatura massima di giunzione (Tj): 175 gradi
* Intervallo di temperatura di conservazione: da -40 gradi a +175 gradi
La conduttività termica superiore del carburo di silicio consente un funzionamento stabile in condizioni difficili.

7. Bassa corrente di dispersione, che garantisce un'elevata efficienza anche a temperature elevate.

8. Coefficiente di temperatura positivo che migliora la scalabilità e l'affidabilità del sistema.

 

Caratteristiche Elettriche

 

Digitare n.

Tensione inversa di picco ripetitiva

Corrente media in avanti max

Corrente di picco massima

Caduta di tensione di picco diretta

Inversione CC
attuale

Tempo di recupero inverso

Dimensione

VRRM

IF(AV)

IFSM

VFM

IF(AV)

TA=25grado

Trr

V

A

A

V

A

uA

nS

R2000-R3000

2000-3000

0.2

30

3

0.2

5

--

DO-41

R4000-R5000

4000-5000

0.2

30

5

0.2

5

--

DO-15

R2500F-R3000F

2500-3000

0.2

30

5

0.2

5

500

DO-41

R4000-R5000F

4000-5000

0.2

30

6.5

0.2

5

500

DO-15

RL201-RL207

50-1000

2

70

1.1

2

5

--

10A05-10A10

50-1000

10

400

1

10

10

--

DO-27

10SQ030-10SQ100

30-100

10

275

0.55-0.8

10

0.1

--

R-6

12SQ030-12SQ100

30-100

12

275

0.55-0.8

12

0.1

--

15SQ030-15SQ100

30-100

15

275

0.55-0.8

15

0.1

--

20SQ030-20SQ100

30-100

20

275

0.55-0.8

20

0.5

--

GF3045

45

30

400

0.55

30

0.3

--

JK09E

GF4045

45

40

400

0.5

40

0.3

--

GF5045

45

50

400

0.5

50

0.3

--

GF6045

45

60

400

0.55

60

0.3

--

 

Vantaggi della tecnologia SiC Schottky

Maggiore efficienza del sistema
L'assenza di perdite per recupero inverso migliora notevolmente l'efficienza del convertitore, soprattutto nei progetti ad alta-frequenza.

 

Requisiti di raffreddamento ridotti
Perdite di commutazione inferiori comportano una minore dissipazione del calore, consentendo dissipatori di calore più piccoli e costi di sistema inferiori.

Frequenze di commutazione più elevate
Supporta una maggiore frequenza di commutazione, consentendo ai progettisti di ridurre le dimensioni di componenti magnetici, condensatori e filtri.

 

Affidabilità migliorata
Il materiale SiC con ampio bandgap fornisce:

* Maggiore intensità del campo di ripartizione
* Migliore conduttività termica
* Capacità di aumento migliorata
* Durata operativa estesa

 

Applicazioni tipiche

Invertitori solari

Applicazioni di rettifica e ruota libera ad alta-efficienza nei sistemi di conversione dell'energia fotovoltaica.

Stazioni di ricarica per veicoli elettrici

Ideale per moduli di alimentazione a ricarica rapida-che richiedono alta efficienza e alta-capacità di tensione.

Azionamenti per motori industriali

Fornisce un funzionamento affidabile in convertitori di frequenza-variabili e servosistemi.

Correzione del fattore di potenza (PFC)

Eccellenti prestazioni dei diodi boost nei circuiti PFC ad alta-potenza.

Gruppi di continuità (UPS)

Migliora l'efficienza di conversione e riduce lo stress termico nei sistemi UPS.

Alimentatori a commutazione ad alta-frequenza

Adatto per applicazioni di telecomunicazioni, automazione industriale e alimentazione server che richiedono un'elevata densità di potenza.

 

La serie RTSD offre molteplici valori nominali di tensione e corrente per soddisfare diversi requisiti applicativi:

La serie copre applicazioni ad altissima-alta-tensione che vanno dalla conversione dell'energia industriale alle energie rinnovabili e alle apparecchiature di alimentazione ad alta-tensione.

 

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