MUR8120F Diodo di potenza SiC 1200 V 8 A
Diodo di potenza Schottky al carburo di silicio 1200 V 8 A|Pacchetto TO-220F-2
MUR8120F è un diodo di potenza al carburo di silicio (SiC) da 1200 V 8 A progettato per la commutazione ad alta-frequenza, conversione di potenza ad alta-efficienza ed elettronica di potenza ad alta-tensione.
Dotato di tensione inversa di picco ripetitiva (VRRM) da 1200 V, corrente diretta rettificata continua da 8 A, elevata capacità di sovratensione, temperatura di giunzione massima di 175 gradi e praticamente nessun comportamento di recupero inverso, MUR8120F aiuta a ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza del sistema nelle applicazioni di conversione di potenza più impegnative.
Il dispositivo utilizza un pacchetto compatto TO-220F-2 ed è adatto per alimentatori, circuiti PFC, convertitori ad alta-frequenza, elettronica di potenza industriale, apparecchiature per energie rinnovabili e altre applicazioni di commutazione ad alta tensione.
Risposta rapida
LJF08120 è un diodo di potenza al carburo di silicio (SiC) da 1200 V 8 A in un contenitore TO-220F-2. Non presenta recupero inverso, temperatura di giunzione massima di 175 gradi, energia da valanga a impulso singolo da 80 mJ e capacità di corrente di picco elevata. È progettato per alimentatori ad alta frequenza, PFC, convertitori di potenza industriali e altre applicazioni di elettronica di potenza ad alta efficienza.
Caratteristiche principali
* Tensione inversa di picco ripetitiva di 1200 V
* Corrente diretta raddrizzata continua da 8 A
* Tecnologia a diodi di potenza SiC
* Nessun recupero inverso
* Nessun recupero in avanti
* Elevata capacità di sovracorrente
* Energia da valanga a impulso singolo-80 mJ
* Temperatura di giunzione massima di 175 gradi
* Coefficiente di temperatura positivo
* Facile collegamento in parallelo per progetti-più attuali
* Capacità operativa ad alta-temperatura
* Pacchetto motore compatto TO-220F-2
* Senza Pb-, senza alogeni-e senza BFR-
* Conforme alla direttiva RoHS
La scheda tecnica specifica una temperatura di giunzione massima di 175 gradi, una classificazione di energia da valanga di 80 mJ e un'elevata capacità di sovratensione non-ripetitiva fino a 530 A a TC=25 grado per 10 secondi nella condizione di test specificata.
Specifiche elettriche
Caratteristiche
Caratteristiche della tensione diretta
A IF=8A, la tensione diretta specificata è:
Condizione di giunzione/involucro Tensione diretta VF
TC=25 grado Inferiore o uguale a 1,75 V
TC=125 gradi Inferiore o uguale a 2,0 V
TC=175 grado Inferiore o uguale a 2,4 V
Questi valori sono specificati nella sezione caratteristiche elettriche della scheda tecnica.
Caratteristiche della corrente inversa
A VR=1200V, la corrente inversa specificata è:
Temperatura Corrente Inversa IR
TC=25 grado Inferiore o uguale a 200 µA
TC=125 grado Inferiore o uguale a 300 µA
TC=175 grado Inferiore o uguale a 400 µA
Questa specifica della corrente inversa-dipendente dalla temperatura- dovrebbe essere presa in considerazione quando si progettano circuiti ad alta-tensione, soprattutto dove sono importanti la dispersione in standby o il funzionamento ad alta-temperatura
Bassa perdita di commutazione con tecnologia SiC
Uno dei principali vantaggi dell'LJF08120 è la struttura del diodo di potenza SiC senza recupero inverso e senza recupero diretto.
Rispetto ai diodi a recupero rapido-al silicio convenzionali, un diodo SiC può ridurre significativamente la carica-correlata alla commutazione e le perdite associate al recupero inverso. Ciò rende LJF08120 particolarmente adatto per alimentatori switching ad alta-frequenza, stadi PFC e convertitori di potenza ad alta-efficienza.
La scheda tecnica identifica specificamente il dispositivo come privo di recupero inverso/recupero diretto, insieme a coefficiente di temperatura positivo e facile capacità di collegamento in parallelo.
Capacità di corrente di picco elevata
L'LJF08120 è progettato per resistere a condizioni di corrente transitoria elevata.
Nelle condizioni di prova specificate:
* Corrente di picco diretta non-ripetitiva da 530 A a=25 gradi TC, 10 s
* 480 A a TC=150 gradi, 10 s
* Corrente di picco semisinusoidale non-ripetitiva da 68 A con tp=8.3ms
* Corrente di picco semisinusoidale ripetitiva da 32 A con tp=8.3ms
Ciò rende il dispositivo adatto a circuiti di potenza in cui possono verificarsi elevate correnti di avvio, correnti transitorie o sollecitazioni di commutazione.
Capacità di valanghe
L'LJF08120 è classificato per energia da valanga a impulso singolo- da 80 mJ.
La scheda tecnica afferma che la classificazione EAS da 80 mJ si basa su:
* Inizio TJ=25 grado
* Induttanza L=0.5mH
* IAS=18A
* V = 150V
I progettisti dovrebbero utilizzare le condizioni di prova specificate quando valutano le prestazioni delle valanghe nell'applicazione reale.
Funzionamento ad alta-temperatura
L'LJF08120 supporta una temperatura di giunzione massima di 175 gradi e un intervallo di temperature di funzionamento/immagazzinamento compreso tra -55 gradi e +175 gradi.
La sua capacità di resistere alle alte-temperature lo rende adatto per l'elettronica di potenza compatta in cui le condizioni termiche possono essere impegnative.
La resistenza termica massima specificata dalla giunzione-al-involucro è di 0,9 gradi/W, fornendo una base utile per la progettazione termica e la selezione del dissipatore di calore.
7.Capacità e carica capacitiva
La scheda tecnica specifica:
|
Parametro |
Condizione di prova |
Valore tipico |
|
Carica capacitiva totale |
V = 800V |
55 nC |
|
Capacità totale |
VR=1V, f=100kHz |
538 pF |
|
Capacità totale |
VR=400V, f=100kHz |
50 pF |
|
Capacità totale |
VR=800V, f=100kHz |
40 pF |
Queste caratteristiche sono particolarmente rilevanti per i progettisti che lavorano con convertitori a commutazione ad alta-frequenza e circuiti a commutazione ad alta-tensione.
Pacchetto
TO-220F-2
Applicazioni tipiche
Alimentatori a commutazione ad alta-frequenza
Adatto per funzioni di rettifica e di ruota libera ad alta-frequenza in cui è importante una bassa perdita di commutazione.
Correzione del fattore di potenza (PFC)
Applicabile agli stadi PFC ad alta-efficienza negli alimentatori CA-CC.
Alimentatori industriali
Adatto per circuiti di conversione e raddrizzamento di potenza industriale ad alta-tensione.
Convertitori di potenza ad alta-frequenza
La sua tecnologia SiC e il basso costo di commutazione-relativo lo rendono adatto per architetture di convertitori ad alta-frequenza.
Elettronica di potenza per energie rinnovabili
Può essere preso in considerazione per inverter solari, conversione di energia e altri dispositivi elettronici di potenza ad alta-efficienza, soggetti ai requisiti termici, di tensione e corrente del sistema.
Elettronica di potenza per veicoli elettrici e ricarica
Adatto per stadi selezionati di conversione dell'alimentazione ad alta-tensione nella ricarica di veicoli elettrici e nella relativa elettronica di potenza.
Azionamenti per motori e inverter industriali
Può essere utilizzato come diodo di potenza ad alta-velocità in architetture di inverter e azionamenti di motori-appropriati.
Sistemi di alimentazione CC ad alta-tensione
Applicabile alle funzioni di rettifica, di ruota libera e di protezione ad alta-tensione dove i valori nominali elettrici e termici sono appropriati.
Perché scegliere il diodo di potenza MUR8120F?
Tensione di blocco 1200 V
La classificazione VRRM da 1200 V fornisce un'elevata capacità di tensione inversa-per circuiti di conversione di potenza impegnativi.
Corrente continua 8A
Il dispositivo supporta fino a 8 A di corrente diretta continua raddrizzata nelle condizioni termiche specificate.
Nessun recupero inverso
L'assenza di recupero inverso rende la tecnologia dei diodi SiC particolarmente interessante per le applicazioni di commutazione ad alta-frequenza.
Temperatura di giunzione di 175 gradi
L'elevata temperatura di giunzione massima supporta ambienti termici esigenti.
Elevata capacità di sovratensione
La capacità di-correnti elevate aiuta a migliorare la resistenza alle condizioni di corrente transitoria.
Pacchetto TO-220F-2
Il pacchetto di alimentazione compatto a foro passante- è pratico per i progetti di alimentatori e convertitori industriali.
MUR8120F rispetto ai diodi a recupero rapido-al silicio convenzionali
|
Tecnologia |
Carburo di silicio |
Silicio |
|
VRRM |
1200V |
Dipendente dall'applicazione |
|
Corrente continua |
8A |
Dipendente dall'applicazione |
|
Recupero inverso |
Nessun recupero inverso |
Presente recupero inverso |
|
Perdita di commutazione |
Perdite legate alla commutazione-basse |
Più alto ad alta frequenza |
|
Temperatura massima di giunzione |
175 gradi |
In genere inferiore, a seconda del dispositivo |
|
Capacità di sovratensione |
Alto |
Dipendente dal dispositivo |
|
Operazione ad alta-frequenza |
Ottima idoneità |
Più limitato |
|
Pacchetto |
TO-220F-2 |
Dipendente dal dispositivo |
Considerazioni sulla progettazione consigliate
Quando si utilizza MUR8120F, gli ingegneri dovrebbero valutare:
Margine di tensione inversa
Mantenere la tensione inversa ripetitiva entro il valore VRRM specificato di 1200 V.
Gestione termica
La temperatura di giunzione deve rimanere entro il massimo specificato di 175 gradi.
Corrente diretta
La classificazione continua di 8 A si applica alle condizioni di temperatura del caso-specificate e non deve essere trattata come una classificazione di 8 A incondizionata in ogni ambiente termico.
Condizioni di sovratensione
I valori nominali della corrente di picco- dipendono dalla durata dell'impulso, dalla temperatura e dalla forma d'onda.
Progettazione PCB e dispersione termica
Il layout del PCB ad alta- tensione deve garantire una distanza in aria e in superficie adeguata in base alla tensione del sistema e agli standard di sicurezza applicabili.
Funzionamento parallelo
La scheda tecnica identifica il coefficiente di temperatura positivo e la facilità di collegamento in parallelo come caratteristiche del dispositivo, ma il sistema completo deve comunque essere progettato per la condivisione di corrente e il bilancio termico.
Riepilogo del prodotto
Il diodo di potenza SiC MUR8120F 1200 V 8 A è un dispositivo di potenza in carburo di silicio ad alta-tensione e alta-temperatura per l'elettronica di potenza moderna ad alta-efficienza.
Con capacità di tensione inversa-di 1200 V, corrente raddrizzata continua di 8 A, temperatura di giunzione massima di 175 gradi, energia da valanga di 80 mJ, capacità di corrente di picco-elevata e assenza di recupero inverso, è un ottimo candidato per la conversione di potenza ad alta-frequenza e l'elettronica di potenza industriale.
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Domande frequenti: diodo di potenza SiC MUR8120F 1200 V 8 A
D: Cos'è il MUR8120F?
R: Il MUR8120F è un diodo di potenza SiC da 1200 V 8 A in un contenitore TO-220F-2.
D: Qual è la tensione nominale del MUR8120F?
R: La tensione inversa di picco ripetitivo (VRRM) è 1200 V.
D: Qual è la valutazione attuale?
R: La corrente diretta continua raddrizzata è 8 A, specificata per TC < 148 gradi.
D: MUR8120F dispone del recupero inverso?
R: La scheda tecnica non specifica il recupero inverso/nessun recupero in avanti, rendendolo adatto per applicazioni di commutazione ad alta-frequenza.
D: Qual è la temperatura massima di giunzione?
R: La temperatura massima di giunzione è di 175 gradi.
D: Qual è il pacchetto di MUR8120F?
R: Il MUR8120F utilizza un pacchetto TO-220F-2 con Pin 1 come catodo e Pin 2 come anodo.
D: MUR8120F è adatto per alimentatori ad alta-frequenza?
R: Sì. La sua tecnologia SiC e la caratteristica di assenza di-recupero inverso-lo rendono particolarmente adatto alla conversione di potenza ad alta-frequenza, soggetta alla progettazione del circuito completo e alle condizioni operative.
D: MUR8120F è adatto al PFC?
R: Sì. Il dispositivo può essere preso in considerazione per applicazioni PFC in cui la tensione nominale di 1200 V, la corrente nominale di 8 A, le condizioni termiche e i requisiti di commutazione sono appropriati.
D: MUR8120F può sostituire un diodo a recupero rapido-al silicio?
R: Potrebbe trattarsi di una sostituzione adeguata in alcuni progetti, ma non si deve presumere una sostituzione diretta. Gli ingegneri dovrebbero confrontare la tensione nominale-inversa, la tensione diretta, la corrente, la resistenza termica, la capacità, i requisiti di sovratensione, le condizioni operative del pacchetto e del circuito prima della sostituzione.
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